top of page
بحث

مقاومة الجذب لاعلي

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته

لا يخفي علينا مكون هام في بوردة الهاتف المحمول يسمي المقاومة

ولها استخدامات متعددة

منها :

  • التحكم في التيار

  • تجزئة الجهد

  • المقاومات المتغيرة سواء حرارية او غيرها

  • المقاومات الصفرية

  • مقاومات الاستهلاك ( iSense )

  • مقاومة الجذب لأسفل ( تحويل حالة المسار الي Low 0.0V )

  • مقاومة الجذب لأعلي ( تحويل حالة المسار الي High 1.8V )

دعونا الان نتحدث عن هذه الاخيرة ( مقاومات الجذب لاعلي )

وتوجد بكثرة علي مسارات الاشارات مثل ( RESET , interrupt , Detect , …. )

وكذلك توجد علي بعض مسارات بروتوكولات التواصل مثل ( IIC ، I2C )

ولكن سيستوقفك سؤال قد تتعجب ليه

ان كانت هذه المقاومة تربط مسار جهد ١.٨ فولت بمسار الاشارة او بروتوكول التواصل .

وبما ان المقاومة لها طرفين فبقياس الجهد علي طرفها ناحية مسار الجهد ستجد ١.٨ فولت وبقياس الجهد كذلك علي مسار الاشارة او بروتوكول التواصل ستجد كذلك ١.٨ فولت

كيف ؟

واين الفقد في الجهد الذي يحدث علي المقاومة ؟

صورة توضح علاقة مقاومة الجذب لاعلي بالمقاومة الداخلية للايسيهات
صورة توضح علاقة مقاومة الجذب لاعلي بالمقاومة الداخلية للايسيهات

بعد النظر للصورة السابقة ستبدأ في الاستيعاب ان المقاومة وحدها ليست هي العامل المؤثر

فهناك كذلك المقاومة الداخلية للايسيهات والمعالج علي مسار الاشارة او بروتوكول التواصل.

وبافتراض ان هذه المقاومة الداخلية هي مقاومة اشباه الموصلات داخل الايسيهات و المعالج ومن الطرف الاخر لها المتمم للدائرة هو الارضي

قمنا بالتحربة العملية بقياس المقاومة الداخلية للايسي والمعالج علي وضع الاوم

ثم التعويض في قانون تجزئة الجهد ( Voltage Divider )

تجربة عملية علي قياس المقاومة الداخلية للايسي والمعالج علي مسار I2c خاص بالاسبيكر
تجربة عملية علي قياس المقاومة الداخلية للايسي والمعالج علي مسار I2c خاص بالاسبيكر

لاحظنا ان دائما ما تكون المقاومة الكلية للمقاومات الداخلية للايسيهات ما تتعدي ال ١ ميجا اوم ولذلك عند وضع مقاومة الجذب لاعلي بالكيلو اوم سواء ( ١ او ٢.٢ او حتي ١٠ كيلو اوم ) سيكون الجهد علي المسار ١.٧٩٧ اي مايعادل تقريبا ١.٨ فولت

كررنا التجربة علي مسار اخر وكانت النتيجة متطابقة تمام

تجربة  اخري علي مسار بروتوكول تواصل خاص بالمستشعر
تجربة اخري علي مسار بروتوكول تواصل خاص بالمستشعر

نخلص الي النتائج التالية :

  • مقاومة الجذب لاعلي عليها ١.٨ فولت من الناحيتين

  • مقاومة الجذب لاعلي غالبا قيمتها لا تتجاوز ال ١٠ كيلو أوم ودائما مما تتراوح مابين ( ١ او ٢.٢ او ٣.٠٤ كيلوم اوم )

  • المقاومة الداخلية للايسيهات والمعالج عالية جدا تتجاوز الميجا اوم

  • يمكن قياس المقاومة الداخلية للايسيهات للتاكد من سلامتها ان لم يتوافر لديك اوسيلوسكوب وسنحاول قريبا باذن الله العديد من الداتا الخاصة بهذه العملية لافادتكم .


شارك في هذا البحث بالشرح وتحديد الية العمل مهندس عمر منيع

وقام بالتطبيق العملي فريق عمل يلا موبايل وتحت اشراف مهندس بيشوي سمير

يمكنم الحصول علي المزيد من الشروحات بالاشتراك في تدريباتنا بالضغط علي زر تواصل معنا

بالتوفيق للجميع ودمتم فاهمين

 
 
 

Comments


من تكون إلزامي

شكرا لك سنقوم بالاجابة عليك في اسرع وقت ممكن

yallamob.com all rights reserved. copyright © 2022

bottom of page